三星电子宣布将在明年上半年开始使用环栅技术为客户生产3纳米芯片设计

10月12日 消息:三星电子已正式宣布，将在台积电之前于2022年上半年开始生产3纳米芯片体。作为三星的对手，台积电将于10月14日召开电话会议，公布第三季度业绩，台积电极有可能对三星电子的这一消息做出回应。

10月7日，三星电子宣布将在明年上半年开始使用环栅 (GAA) 技术为客户生产3纳米 (nm) 芯片设计。它补充说，它将在2023年量产第二代3纳米芯片，并在2025年量产2纳米芯片。

三星电子将使用 GAA 技术进行3纳米芯片生产，以提高充当半导体电流控制开关的晶体管的性能和效率。新的晶体管结构对于持续的工艺迁移至关重要，因为它提高了电源效率、性能和设计灵活性。

与基于鳍式场效应晶体管 (FinFET) 的5纳米工艺相比，三星首个3纳米GAA工艺节点可将性能提升30%，将功耗降低50%，并将芯片面积减少35%。该公司计划将第三代 GAA 技术应用于将于2025年推出的2纳米工艺。

台积电计划继续将 FinFET 技术应用到3纳米工艺中，并从2纳米工艺开始引入 GAA 技术。如果按照三星电子的计划，它将成为全球第一家量产3纳米半导体的代工厂。最初，台积电计划在2022年7月将3纳米工艺应用于英特尔的CPU 和 GPU的量产。

三星电子之所以做出这个出人意料的决定，是因为它与台积电的市场份额差距已经拉大。台积电在2021年第二季度占全球代工市场的58%，三星的份额为14%。根据市场研究公司 Counterpoint Research 的数据，第一季度，台积电的市场份额为55%，而三星为17%。

目前，三星电子和台积电都在生产基于 FinFet 技术的5纳米芯片。然而，专家表示，台积电在良率和性能方面占据上风。

关键词： 三星电子 技术 芯片