武汉半导体三维集成制造中心揭牌 还举行了国家存储器基地仪式

1 月 18 日，湖北省半导体三维集成制造创新中心在武汉揭牌，这是我国三维集成制造领域首个省级创新中心。湖北省半导体三维集成制造创新中心的成立，标志着以国家存储器基地为核心，国家先进存储产业创新中心、湖北省半导体三维集成制造创新中心、湖北省智能芯片技术创新中心为主体的芯片产业创新体系更加完善。

湖北省制造强省建设领导小组办公室负责人表示，创新中心是湖北省落实中央“制造强国、网络强国”建设重大部署，加强半导体制造创新平台建设，提升半导体产业基础能力和产业链水平，应对国际竞争的重大举措。期间组织专家认真评估，批准长江存储公司和武汉新芯公司为主体，在全国率先创建省级创新中心。

湖北省半导体三维集成制造创新中心自筹备开始就对照国家级制造创新中心建设要求，高标准推进共性技术研发、产业综合服务、成果转化育成等三大平台建设工作。

创新中心与中科院微电子所等单位形成紧密合作，构建国内领先的三维集成制造领域创新联合体，旨在突破混合晶圆键合、多晶圆堆叠、异质晶圆堆叠等关键共性技术，为三维集成电路领域提供服务。

创新中心还与北京大学、清华大学、复旦大学、南京大学、华中科技大学、湖北大学、湖北工业大学、湖北省半导体行业协会等单位在人才培养、知识产权、产业孵化等方面开展全方位合作，共建产业生态。

创新中心还将着力推进半导体工程化技术研发，探索三维集成制造技术的首次商业化应用，与国内外半导体企业建立广泛深入合作，不断加强行业影响力和辐射带动效应，全力争创国家级创新中心。

同日还举行了国家存储器基地项目(一期)银团贷款签约仪式。国家存储器基地项目(一期)银团贷款项目总投资 121.9 亿美元，由国开行牵头组建，参团行为交行、农行、建行、邮储银行等，人民币银团贷款总额 134 亿元，为长江存储发展注入强劲动力。

而在 2020 年 1 月 12 日，湖北省“两会”召开首场新闻发布会，湖北省政协委员、长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹出席发布会并介绍了长江存储的情况。

杨道虹表示，国家存储器基地项目经过 3 年多的建设，取得了阶段性成果。2019 年，国家存储器基地项目基于自主知识产权存储芯片架构技术，研发生产的 64 层三维闪存产品实现量产，多种类型产品已在国内主要客户进行验证，并实现小批量销售。国家存储器基地产品研发进展顺利，更先进的三维闪存产品研发也取得阶段性突破，进一步缩短了与国际龙头企业的技术差距。

杨道虹强调，当前以及今后一段时间，长江存储的核心任务就是推动产能爬坡提升，尽早达成月产能 10 万片，按期建成 30 万片 / 月产能，提升国家存储器基地的规模效应，带动全省集成电路产业发展。未来，将布局新型存储器、特种存储器、物联网芯片(5G 芯片)、智能芯片产品的研发，增强核心竞争力。

杨道虹还表示，武汉新芯近期主要推动二期扩产项目建设，为国家存储器基地提供配套;未来，武汉新芯将在现有存储工艺、三维集成特种工艺及逻辑工艺平台基础上，面向需求量巨大的物联网、人工智能与 5G 市场，创新发展具有特色的存储工艺，建成国内物联网芯片(5G 芯片)领导型企业。

关键词： 武汉半导体三维集成制造中心